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高峰對(duì)話(huà)|國(guó)微芯攜先進(jìn)制程工藝解決方案亮相ICDIA

閱讀量: 發(fā)表時(shí)間:2023-07-17

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7月13-14日,國(guó)微芯應(yīng)邀參加中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨IC應(yīng)用博覽會(huì)(2023無(wú)錫)產(chǎn)品展與高峰論壇,為大家展示先進(jìn)制程工藝解決方案。國(guó)微芯執(zhí)行總裁兼首席技術(shù)官白耿先生在論壇上發(fā)表題為《半導(dǎo)體工藝超線(xiàn)性發(fā)展對(duì)國(guó)產(chǎn)EDA的機(jī)遇和挑戰(zhàn)》的精彩演講,分析了先進(jìn)制程工藝帶來(lái)的挑戰(zhàn),并介紹了國(guó)微芯的突破路徑。

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根據(jù)ITRS 2.0(國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖)報(bào)告,先進(jìn)邏輯制程主要由FinFET、FD-SOI、GAA工藝引導(dǎo),這是三種不同的晶體管工藝。由于通道厚度的縮放限制,F(xiàn)D-SOI工藝在11/10nm節(jié)點(diǎn)處結(jié)束,而FinFET工藝受鰭片寬度的縮放限制,在6/5nm節(jié)點(diǎn)處結(jié)束(實(shí)際最小至3nm)。未來(lái)5-10年,先進(jìn)芯片制造將追求比3nm更小的節(jié)點(diǎn),GAA (Gate All Around)工藝被Imec(Interuniversity Microelectronics Centre)正式推薦為未來(lái)五年的首選工藝,以此突破FinFET的器件性能限制。

多個(gè)先進(jìn)制程工藝給芯片制造帶來(lái)了諸多難關(guān)。舉例來(lái)說(shuō),多鰭FinFET需要非常復(fù)雜的圖案化步驟和多個(gè)掩膜;GAA的全流程圖案化對(duì)EUV OPC的復(fù)雜度和軟硬件性能提出了巨大挑戰(zhàn)。此外,圖形化方法也是一個(gè)難以克服的問(wèn)題。例如,金屬層對(duì)光刻的工藝窗口要求極其嚴(yán)格;雙重或多重圖案化(SADP/SAMP)需要多個(gè)掩膜,導(dǎo)致復(fù)雜度和成本極高,2Dpatterning也具有困難性……

 為了突破先進(jìn)制程工藝和圖形化方法帶來(lái)的多重挑戰(zhàn),國(guó)微芯開(kāi)發(fā)了核心后端和制造端EDA工具,為國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程和IC設(shè)計(jì)提供了定制化技術(shù)支持。

 此次會(huì)議交流,國(guó)微芯詳細(xì)展示了出色成果——光刻掩模優(yōu)化平臺(tái)EsseOPC。該平臺(tái)完全自主可控,兼顧國(guó)產(chǎn)替代及未來(lái)先進(jìn)工藝的應(yīng)用,在前沿的光刻模型、反刻光演和數(shù)據(jù)庫(kù)海量高速讀寫(xiě)及交換技術(shù)等方面有豐厚的技術(shù)積累和Ips。


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EsseOPC支持以DUV光刻過(guò)程實(shí)現(xiàn)的14nm及更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)的核心技術(shù),并已和多家國(guó)內(nèi)Foundry廠達(dá)成合作。此外,計(jì)劃于不久后,EsseOPC達(dá)到支持極限分辨率之下的掩膜合成工藝、浸潤(rùn)式ArF DUV制程、Logic DRAM?NAND工藝、OPC?ILT?RET全流程以及掩膜廠工藝。

 

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白耿先生指出,在IC制造領(lǐng)域,業(yè)界需要充分的技術(shù)儲(chǔ)備以適應(yīng)不斷變化的形勢(shì),并逐步實(shí)施不受尖端設(shè)備影響的特殊工藝突破,如背面供電SOI技術(shù)、3D封裝新方案等。在有條件的情況下,最好及時(shí)跟進(jìn)實(shí)用化的新工藝。

展位現(xiàn)場(chǎng),國(guó)微芯高度完備的EDA工具鏈吸引了觀眾的關(guān)注,紛紛駐足了解。這些EDA工具以傳統(tǒng)哲學(xué)"大道至簡(jiǎn),悟在天成"為靈感,被命名為"芯天成",英文名為”Esse”(本質(zhì))。


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芯天成各系列不僅功能強(qiáng)大、性能卓越,而且還擁有用戶(hù)友好的界面和操作方式,能夠提高設(shè)計(jì)師的工作效率和設(shè)計(jì)質(zhì)量,降低學(xué)習(xí)成本。


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觀眾們對(duì)國(guó)微芯的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力表示高度認(rèn)可和贊賞,許多參會(huì)者與國(guó)微芯的技術(shù)人員進(jìn)行了交流和咨詢(xún)。本次博覽會(huì)上國(guó)微芯收獲的廣泛關(guān)注,充分展示了EDA在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的重要性。

未來(lái),國(guó)微芯將繼續(xù)探索并踐行集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律,以強(qiáng)大的研發(fā)力量為基礎(chǔ),以全流程EDA工具鏈為支撐,以“自主創(chuàng)新、讓造芯更便捷”的愿景為不斷前行的動(dòng)力,助力IC設(shè)計(jì)與制造,為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

 

 


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