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高峰對(duì)話|國微芯創(chuàng)新EDA技術(shù)閃耀首屆IDAS峰會(huì)

閱讀量: 發(fā)表時(shí)間:2023-09-19

9月18日,首屆IDAS設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì)在武漢隆重舉行,大會(huì)以“揚(yáng)帆”為主題,國內(nèi)外1000多位IC精英共襄盛舉。國微芯執(zhí)行總裁兼CTO白耿先生、研發(fā)經(jīng)理杜杳雋博士分別發(fā)表了主題為《基于Partition的物理驗(yàn)證分布式處理》和《反演光刻技術(shù)--SRAF種子生成及機(jī)器學(xué)習(xí)加速》的演講,展示了國微芯在國內(nèi)IC物理實(shí)現(xiàn)和晶圓制造領(lǐng)域領(lǐng)先的EDA技術(shù)。


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演講亮點(diǎn)回顧

基于Partition的物理驗(yàn)證分布式處理方案

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在白耿先生的演講中,他詳細(xì)介紹了國微芯應(yīng)對(duì)不斷增長的版圖和復(fù)雜設(shè)計(jì)規(guī)則所采用的分布式處理方案。該方案將整個(gè)芯片設(shè)計(jì)劃分為多個(gè)獨(dú)立的Partition,并將它們分配給不同的處理單元,以實(shí)現(xiàn)并行處理。國微芯的物理驗(yàn)證DP(Design Process)結(jié)構(gòu)支持各種環(huán)境和配置,可以運(yùn)行全部或僅選定的partitions/patches。這種分布式處理方式顯著提升了芯片設(shè)計(jì)的速度和效率,同時(shí)有效降低成本,確保結(jié)果與單機(jī)處理一致。此外,國微芯還提供了一系列產(chǎn)品,如EsseDiff、EsseFill、EsseColor、EsseRV、EsseDRC和EsseLVS等,以支持該方案的實(shí)施和應(yīng)用。

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 分布式處理結(jié)構(gòu)示意圖

 

 

OOVF提升分布式方案處理效能

OOVF是國微芯擁有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的面向?qū)ο蟮奈锢眚?yàn)證語言,應(yīng)用于國微芯的物理驗(yàn)證分布式處理方案中。

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相較于傳統(tǒng)物理驗(yàn)證語言,OOVF具備簡潔直觀的語法和強(qiáng)大的filter,能夠更加簡單地描述各種幾何對(duì)象及其屬性,從而快速篩選符合特定條件的圖形。在分布式處理中,充分利用OOVF可以實(shí)現(xiàn)對(duì)驗(yàn)證任務(wù)的精確控制,從而提高驗(yàn)證效率和速度。

 

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  反演光刻技術(shù)指導(dǎo)SRAF種子生成


SRAF是在掩膜主圖形附近插入的細(xì)小圖形,用于優(yōu)化掩膜和生成更好的印刷晶圓圖像,使得最終制造出來的芯片達(dá)到局部最優(yōu)的圖形密度。

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SRAF生成流程

 

國微芯采用反演光刻技術(shù)(ILT)引導(dǎo)SRAF生成。在ILT算法中,首先基于掩膜的主要圖形生成一個(gè)連續(xù)傳輸掩膜(CTM),該CTM能夠準(zhǔn)確反映光刻機(jī)實(shí)際的光傳輸情況。隨后,根據(jù)這個(gè)CTM,我們篩選出SRAF的種子,并對(duì)它們進(jìn)行引導(dǎo),促使它們逐漸生長成完整的SRAFs。

 

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迭代前后EPE(邊緣放置誤差)對(duì)比

 

 

最后,國微芯還利用機(jī)器學(xué)習(xí)算法對(duì)生成的SRAF進(jìn)行微調(diào),以得到更好的印刷晶圓圖像質(zhì)量。機(jī)器學(xué)習(xí)算法可以快速推斷出最優(yōu)解,并且可以自適應(yīng)地調(diào)整參數(shù)以獲得更好的性能,為國內(nèi)的Foundry提供有力的技術(shù)支持。

 

本次IDAS峰會(huì)為國微芯提供了一個(gè)展示前沿技術(shù)的寶貴機(jī)會(huì)。通過基于Partition的物理驗(yàn)證分布式處理方案、面向?qū)ο蟮奈锢眚?yàn)證語言(OOVF)以及反演光刻技術(shù)的應(yīng)用,國微芯不僅提高了芯片物理驗(yàn)證和晶圓制造的效率,還為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)了獨(dú)特的見解和解決方案。國微芯將繼續(xù)探索和創(chuàng)新,推動(dòng)IC設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的不斷進(jìn)步,以滿足不斷增長的市場(chǎng)需求,為技術(shù)發(fā)展揚(yáng)帆起航。


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